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SANYO - 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:37A 电压, Vds 最大:100V 开态电阻, Rds(on):25mohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:35W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-220ML 针脚数:3 封装类型:TO-220ML 晶体管类型:Switching 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:100V 电流, Id 连续:37A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V 上海 0 新加坡15 英国89 1 1 删除
TEXAS INSTRUMENTS - TPD2E001DRSR - 芯片 静电保护二极管阵列 2路 6SON   工作温度范围:-40°C to +85°C 封装形式:SON 针脚数:6 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SON 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 器件标号:2 电源电压 最大:5.5V 电源电压 最小:900mV 电源电压 直流 最大:5.5V 电源电压 直流 最小:0.9V 电源电流:1nA 电源电流 最大:100nA 表面安装器件:表面安装 通道数:2 上海530 新加坡80 英国1343 1 1 删除
KEMET - CER ENG KIT 08 - 高电压电容套件   套件包含:High Voltage Ceramic Capacitors 电容量范围:20 pcs EA - 20 Values of 100pF to 0.1uF 停产 1 1 删除
MICROCHIP - MCP6S21-I/SN - 芯片 单放大器 可变增益 12MHz SPI   放大器数目:1 带宽:12MHz 轨至轨输入/输出:轨至轨输入/输出 通道数:1 电源电压范围:2.5V to 5.5V 封装类型:SOIC 针脚数:8 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:SOIC -3dB带宽增益乘积:12MHz 器件标号:6 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 放大器类型:可变增益 最大增益:32 电源电压 最大:5.5V 电源电压 最小:2.5V 表面安装器件:表面安装 输入偏移电压 最大:0.275mV 额定电源电压, +:5.5V 上海 0 新加坡24 英国262 1 5 删除
UNITED CHEMI-CON - BMVK500ADA6R8MF60G - 铝电解电容   铝电解电容 美国 0 上海 0 美国797 新加坡 0 1 1 删除
YAGEO (PHYCOMP) - CA0612JRNPO9BN471 - 电容阵列0612 470PF 50V   电容:470pF 电容容差 ±:± 5% 元件数:4 额定电压:50V DC 封装类型:0612 针脚数:8 工作温度范围:-55°C to +125°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 工作温度最低:-55°C 工作温度最高:125°C 电容介质类型:Multilayer Ceramic 外宽:1.6mm 外部深度:3.2mm 外部长度/高度:1mm 封装类型:0612 电介质类型:C0G / NP0 端子类型:Surface Mount (SMD, SMT) 系列:0612 表面安装器件:表面安装 容差, +:5% 容差, -:5% 应用:标准 每卷数量:4000 气候类型:55/125/56 温度系数 ±:± 30ppm/°C 温度系数, +:30ppm/°C 温度系数, -:-30ppm/°C 额定电压, 直流:50V 无库存 1 10 删除