| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6011RPBF - 场效应管 MOSFET IPS D-PAK |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:60A
开态电阻, Rds(on):0.014ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:2.5W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DPAK
器件标号:6011
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:2.5W
封装类型:D-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:5.6A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:5.6A
电流上限:32A
负载电流:2.4A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS6021RPBF - 场效应管 MOSFET IPS D-PAK |
电源负载开关类型:单高边
输入电压:5.5V
电流极限:32A
开态电阻, Rds(on):0.03ohm
热保护:是
开/使能输入极性:高有效
功耗:2.5W
输出数:1
内部开关:是
封装类型:D-PAK
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:DPAK
器件标号:6021
电压, Vcc:28V
表面安装器件:表面安装
输入电压, 最低:-0.3V
输入电压, 最高:5.5V
功率, Pd:2.5W
封装类型:D-PAK
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:3.9A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vcc 最大:36V
电压, Vds 典型值:28V
电流, Id 连续:3.9A
电流上限:32A
负载电流:1.1A
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
| 上海 0 新加坡 0 英国625 | 1 | 1 | | 删除 |
 | INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1011PBF - 场效应管 MOSFET IPS TO-220 |
开态电阻, Rds(on):0.013ohm
功耗:25W
针脚数:3
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:TO-220
器件标号:1011
表面安装器件:通孔安装
关电电流:85A
功率, Pd:25W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:18A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:28V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:18A
输入低电压, 最大值:6V
输入高电压, 最小值:0.3V
钳位电压:36V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
| 上海 0 新加坡 0 英国249 | 1 | 1 | | 删除 |
 | INTERNATIONAL RECTIFIER - IPS1052GPBF - 场效应管 MOSFET IPS SOIC-8 |
电源负载开关类型:单低边
输入电压:5.5V
电流极限:1.1A
???态电阻, Rds(on):0.25ohm
热保护:是
开/使能输入极性:低有效
功耗:1.25W
输出数:2
内部开关:是
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOIC
器件标号:1052
表面安装器件:表面安装
关电电流:2.8A
功率, Pd:1.25W
封装类型:SOIC
晶体管极性:N
晶体管类型:MOSFET
漏极电流, Id 最大值:1.1A
电压 @ Rds测量:5V
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 最大:36V
电流, Id 连续:1.1A
输入低电压, 最大值:6V
输入高电压, 最小值:-0.3V
钳位电压:39V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
| 无库存 | 1 | 5 | | 删除 |
