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AVX - NOJE477M002RWJ - 电容 470UF 2.5V E封装   电容:470μF 电容容差 ±:± 20% 额定电压:2.5V DC 等效串联电阻, ESR:0.3ohm 系列:NOJ 封装类型:E 针脚数:2 工作温度范围:-55°C to +105°C 工作温度最低:-55°C 工作温度最高:105°C 电容介质类型:Niobium Oxide 外宽:4.3mm 外部深度:4.1mm 外部长度/高度:7.3mm 封装类型:E 表面安装器件:表面安装 容差, +:20% 容差, -:20% 带子宽度:8mm 应用:固态 每卷数量:400 额定电压, 直流:2.5V 无库存 1 1 删除
CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY6264-70SNXC - 芯片 SRAM 64K 5V SMD 6264 管装27只   存储器配置:8K x 8bit 访问时间:70ns 封装类型:SOIC 针脚数:28 工作温度范围:0°C to +70°C 封装类型:SOIC 工作温度最低:0°C 工作温度最高:70°C 器件标号:6264 存储器容量:64Kbit 存储器电压 Vcc:5V 存储器类型:SRAM 封装类型:管装 温度范围:商用 电压, Vcc:5V 电源电压 最大:5.5V 电源电压 最小:4.5V 芯片标号:6264 表面安装器件:表面安装 逻辑功能号:6264 无库存 27 1 删除
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS3065W-100# - 芯片 NV芯片 SRAM 3.3V SMD   存储器配置:1M x 8bit 非易失性存储器特点:实时时钟, 内部电池, 晶振 访问时间:100ns 封装类型:BGA 针脚数:256 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:BGA 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 器件标号:3065 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3.3V 存储器类型:NVRAM 接口类型:Parallel 电源电压 最大:3.6V 电源电压 最小:3V 芯片标号:3065 表面安装器件:表面安装 无库存 1 1 删除