我挑选的商品

图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量 操作
TC1262-28VDBTR   原装现货ON 现货 封装:SOT223 批号:新 面议 删除
TC1262-28VEBTR   原装现货Microchip Technology 现货 封装:Datasheet 批号:07+ 面议 删除
DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363   晶体管极性:Dual N Channel 开态电阻, Rds(on):2ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1V 工作温度范围:-65°C to +150°C 封装类型:SOT-363 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOT-363 晶体管类型:Enhancement 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:50V 电流, Id 连续:305mA 上海 0 新加坡 0 英国4168 1 5 删除