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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
操作 |
| SANYO - EFC4601-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP |
模块配置:Dual Series N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:24V
开态电阻, Rds(on):44mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.6W
封装类型:EFCP
封装类型:EFCP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:24V
电流, Id 连续:6A
| 上海 0 新加坡 0 英国100 | 1 | 1 | | 删除 |
| 135967 | 原装现货REI | 现货 | 封装: 批号:08+ | 面议 | | 删除 |
| RALOSS - SR185-48 - 太阳能板 185W |
外宽:1337mm
外部深度:46mm
外部长度/高度:997mm
输出功率:185W
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 1 | 1 | | 删除 |
| LASER COMPONENTS - ADL-65075TA2 - 激光二极管 655NM 自动功率控制 |
波长, 典型值:650nm
额定电流:27mA
针脚数:3
输出功率:10mW
工作温度范围:-10°C to +85°C
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:85°C
工作温度最低:-10°C
工作温度最高:85°C
波长峰值:655nm
电源电压:2.2V
电源电压 最大:2.5V
电源电流:30mA
| 上海 0 新加坡2 英国 0 | 1 | 1 | | 删除 |
| 0805COG681J050P075 | 原装现货 | 现货 | 封装: 批号:最新批号 | 面议 | | 删除 |
| TC1262-3.3VEB | 原装现货Microchip | 现货 | 封装:TO-263 批号:新 | 面议 | | 删除 |
| 103P105X0200T | 原装现货Vishay Siliconix | 现货 | 封装:Datasheet 批号:07+ | 面议 | | 删除 |
| NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM4865M/NOPB - 音频功率放大器 |
音频功率放大器
8-SOIC
SMD
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
| TC1262-3.3VDB | 原装现货Microchip Technology | 现货 | 封装:原厂封装 批号:16+/17+ | 面议 | | 删除 |
| TC1262-30VDB | 原装现货Microchip Technology | 现货 | 封装:Datasheet 批号:06/07+ | 面议 | | 删除 |
| SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):260mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1A
| 上海 0 新加坡 0 英国90 | 1 | 1 | | 删除 |