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  • IC型号
  • 描述
  • 厂家
  • 页数
  • 文件大小
  • 51
  • 2SK2687-01
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • Power MOSFET
  • 13页
  • 450K
  • 52
  • 688-10
  • Microsemi Corporation
  • Rectifier Assembly
  • 2页
  • 69K
  • 53
  • 688-12
  • Microsemi Corporation
  • Rectifier Assembly
  • 2页
  • 69K
  • 54
  • 688-15
  • Microsemi Corporation
  • Rectifier Assembly
  • 2页
  • 69K
  • 55
  • 688-18
  • Microsemi Corporation
  • Rectifier Assembly
  • 2页
  • 69K
  • 56
  • 688-20
  • Microsemi Corporation
  • Rectifier Assembly
  • 2页
  • 69K
  • 57
  • 688-25
  • Microsemi Corporation
  • Rectifier Assembly
  • 2页
  • 69K
  • 58
  • FST16861MTD
  • Fairchild Semiconductor
  • 20 Bit Bus Switch
  • 4页
  • 96K
  • 59
  • FST16861MTDX
  • Fairchild Semiconductor
  • 20 Bit Bus Switch
  • 4页
  • 96K
  • 60
  • FSTD16861MTD
  • Fairchild Semiconductor
  • 20 Bit Bus Switch with Level Shifting
  • 5页
  • 164K
  • 61
  • FSTD16861MTDX
  • Fairchild Semiconductor
  • 20 Bit Bus Switch with Level Shifting
  • 5页
  • 164K
  • 64
  • MTD8N06E
  • ON Semiconductor
  • TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon G
  • 10页
  • 185K
  • 65
  • MTD8N06ET4
  • ON Semiconductor
  • TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon G
  • 10页
  • 185K
  • 66
  • M68701
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 820-851MHz, 6W, FM PORTABLE RADIO
  • 3页
  • 28K
  • 67
  • M68701H
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Silicon MOS FET Power Amplifier, 890-960MHz 6W FM /Digital Mobile
  • 3页
  • 133K
  • 68
  • M68701M
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • Silicon MOS FET Power Amplifier, 860-915MHz 6W FM /Digital Mobile
  • 3页
  • 142K
  • 69
  • NTD80N02
  • ON Semiconductor
  • Power MOSFET 80 A, 24 V
  • 12页
  • 88K
  • 70
  • NTD80N02T4
  • ON Semiconductor
  • Power MOSFET 80 A, 24 V
  • 12页
  • 88K
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