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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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ROHM - UMZ1NTR - 双晶体管 UM6 PNP/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0
新加坡 0
英国2303 |
1 |
1 |
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ROHM - UMY1NTR - 双晶体管 UM5 PNP/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-353
封装类型:SOT-353
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0
新加坡500
英国2145 |
1 |
1 |
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ROHM - UMX5NTR - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:11V
截止频率 ft, 典型值:3.2MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:56
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:56
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0
新加坡 0
英国2946 |
1 |
1 |
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ROHM - UMX3NTR - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0
新加坡 0
英国2793 |
1 |
1 |
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ROHM - UMX2NTR - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0
新加坡 0
英国2566 |
1 |
1 |
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ROHM - UMX1NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0
新加坡500
英国4019 |
1 |
1 |
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ROHM - UMT2NTR - 双晶体管 UM6 PNP/PNP |
模块配置:双
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
饱和电压, Vce sat 最大:-500mV
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上海 0
新加坡500
英国2400 |
1 |
1 |
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ROHM - UMH9NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
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上海 0
新加坡 0
英国2360 |
1 |
10 |
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ROHM - UMH6NTR - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
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上海 0
新加坡 0
英国3000 |
1 |
10 |
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ROHM - UMH4NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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无库存 |
1 |
10 |
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ROHM - UMH3NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:5mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0
新加坡200
英国1080 |
1 |
10 |
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ROHM - UMH2NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
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上海 0
新加坡 0
英国2620 |
1 |
10 |
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ROHM - UMH1NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:56
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:56
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上海 0
新加坡 0
英国2480 |
1 |
10 |
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ROHM - UMH11NTN - 双晶体管 UM6 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流??益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
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上海 0
新加坡400
英国2210 |
1 |
10 |
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ROHM - UMG9NTR - 双晶体管 UM5 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-353
封装类型:SOT-353
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
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上海 0
新加坡 0
英国2898 |
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