INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V

INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V
制造商:INFINEON
库存编号:
制造商编号:BSM50GB120DN2
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国10
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 882.20
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 4 CNY 882.20
5  - 11 CNY 802.30
12+  CNY 767.71

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描述信息:
  • 模块配置:1 Pair Series Connection
  • 集电极直流电流:78A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:400W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • 封装类型, 替代:M34a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:100ns
  • 下降时间:100ns
  • 功率, Pd:400W
  • 功耗:400W
  • 最大连续电流, Ic:50A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:100A
产品属性:

重量(公斤):0.25
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 模块配置:1 Pair Series Connection
  • 集电极直流电流:78A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:400W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • 封装类型, 替代:M34a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:100ns
  • 下降时间:100ns
  • 功率, Pd:400W
  • 功耗:400W
  • 最大连续电流, Ic:50A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:100A