VISHAY SILICONIX - SST5485-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-236

VISHAY SILICONIX - SST5485-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-236
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SST5485-E3
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:100
多重订单量:1
单位价格(不含税):
价格:

订购
描述信息:
  • 晶体管类型:JFET
  • 电压, V(br)gss:-25V
  • 电压, Vgs off 最大:-4V
  • 功耗:350mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-236
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-236
  • 晶体管极性:N Channel
  • 电流, Idss 最大:10mA
  • 电流, Idss 最小:4mA
产品属性:

重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:JFET
  • 电压, V(br)gss:-25V
  • 电压, Vgs off 最大:-4V
  • 功耗:350mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-236
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-236
  • 晶体管极性:N Channel
  • 电流, Idss 最大:10mA
  • 电流, Idss 最小:4mA