SANYO - FTD2019A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A TSSOP8

SANYO - FTD2019A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A TSSOP8
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：FTD2019A-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国65
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.33
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 17.33
25  - 99 CNY 14.72
100  - 249 CNY 11.88
250  - 499 CNY 10.03
500+  CNY 8.50

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描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态??阻, Rds(on):26mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:6A
产品属性：

重量（公斤）：0.00004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态??阻, Rds(on):26mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:6A