SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96

SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
制造商:SANYO
库存编号:
制造商编号:FW808-TL-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国96
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 14.12
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 14.12
25  - 99 CNY 12.01
100  - 249 CNY 9.79
250  - 499 CNY 8.23
500+  CNY 6.89

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描述信息:
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):22mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:8A
产品属性:

重量(公斤):0.00009
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):22mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:8A