STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220

STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
制造商:STMICROELECTRONICS
库存编号:
制造商编号:STP26NM60N
库存状态:上海 0 , 新加坡10, 英国 0
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 55.87
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 55.87
25  - 99 CNY 43.91
100  - 249 CNY 35.20
250  - 499 CNY 30.89
500+  CNY 28.00

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描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性:

重量(公斤):0.00195
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V