IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275

IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275
制造商:IXYS RF
库存编号:
制造商编号:IXZ215N12L
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 338.80
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 338.80
10  - 24 CNY 308.90
25  - 49 CNY 280.70
50+  CNY 276.30

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描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:15A
  • 最大功耗:6W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:4ns
  • 封装类型:DE-275
  • 开态电阻, Rds(on):0.3ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电容值, Ciss 典型值:425pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
产品属性:

重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:15A
  • 最大功耗:6W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:4ns
  • 封装类型:DE-275
  • 开态电阻, Rds(on):0.3ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电容值, Ciss 典型值:425pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V