DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363

DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:DMN5L06DWK-7
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国4168
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 6.87
价格:
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 6.87
25  - 99 CNY 5.01
100  - 249 CNY 3.92
250  - 499 CNY 3.16
500+  CNY 2.73

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描述信息:
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:305mA
产品属性:

重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:305mA